Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 3.2 ns
Выходная емкость (Cd): 110 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3EP
Если у вас есть вопросы по данному товару вы можете задать их в 
Telegram
Условия по оплате и срокам доставки читай в разделе Оплата и доставка
