Маркировка: B04N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 59 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 548 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
Тип корпуса: EDFN5X6
Если у вас есть вопросы по данному товару вы можете задать их в 
Telegram
Условия по оплате и срокам доставки читай в разделе Оплата и доставка
