Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
Время нарастания (tr): 8.9 ns
Выходная емкость (Cd): 370 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0073 Ohm
Тип корпуса: DIRECTFET
Если у вас есть вопросы по данному товару вы можете задать их в 
Telegram
Условия по оплате и срокам доставки читай в разделе Оплата и доставка
